ELECTRON SPIN RESONANCE OF CONDUCTION ELECTRONS IN PHOSPHORUS ION-IMPLANTED SILICON

被引：6

作者：

HASEGAWA, S

KONTANI, R

SHIMIZU, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1971年 / 10卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.10.1641

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1641 / &

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共 3 条

[1] ESR STUDIES ON P+ ION-IMPLANTED SI [J].

HASEGAWA, S ;

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