RF SPUTTERED AU-MO CONTACTS TO N-GAAS

被引：6

作者：

DEVLIN, WJ ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19800070

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：92 / 93

页数：2

共 5 条

[1]

DEVLIN WJ, 1979, 7 BIENN C CORN U ITH

[2] DEGRADATION MECHANISM OF GAAS-MESFETS [J].

MIZUISHI, K ;

KURONO, H ;

SATO, H ;

KODERA, H .

[3] TUNGSTEN-GOLD GATE GAAS MICROWAVE FET [J].

MORKOC, H ;

ANDREWS, J ;

SANKARAN, R ;

DULLY, JH .

[4]

SMITH JG, 1979, 7 BIENN C CORN U ITH

TAYLOR, PD ;

MORGAN, DV .