TUNGSTEN INTERCONNECTION LAYERS FORMED BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：4

作者：

HARA, T

CHEN, SC

ANDO, H

WU, HM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.22984

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：715 / 716

页数：2

共 8 条

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