GROWTH OF LATTICE DEFECTS IN SILICON DURING OXIDATION

被引：72

作者：

QUEISSER, HJ

VANLOON, PGG

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1964年 / 35卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1713179

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：3066 / &

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