VERY HIGH-TRANSCONDUCTANCE HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR (HFET)

被引：15

作者：

TAYLOR, GW ^{[1
]}

LEBBY, MS ^{[1
]}

CHANG, TY ^{[1
]}

GNALL, RN ^{[1
]}

SAUER, N ^{[1
]}

TELL, B ^{[1
]}

SIMMONS, JG ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV BRADFORD,CTR MICROELECTR & CADMAT,BRADFORD BD7 1HR,W YORKSHIRE,ENGLAND

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1987年 / 23卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870056

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：77 / 79

页数：3

共 7 条

[1]

CIRILLO NC, 1986, IEEE ELECTRON DEVICE, V7

[2]

HIROSE K, 1986, I PHYS C SER, V79, P529

[3] A NEW TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR FABRICATED ON UNDOPED ALGAAS-GAAS HETEROSTRUCTURE [J].

KATAYAMA, Y ;

MORIOKA, M ;

SAWADA, Y ;

UEYANAGI, K ;

MISHIMA, T ;

ONO, Y ;

USAGAWA, T ;

SHIRAKI, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1984, 23 (03) :L150-L152

[4]

LEE CP, 1983, P IEEE GAAS IC S, P162

[5]

MINURA T, 1983, IEEE IEDM, P99

[6]

MINURA T, 1980, JPN J APPL PHYS, V19, pL225

[7] HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR (HFET) [J].

TAYLOR, GW ;

SIMMONS, JG .

ELECTRONICS LETTERS, 1986, 22 (15) :784-786

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