LOW TEMPERATURE IMPURITY CONDUCTION IN SILICON

被引：11

作者：

LONGO, TA

RAY, RK

LARKHOROVITZ, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3697(59)90330-0

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：259 / 263

页数：5

共 8 条

[1]

FRITZSCHE H, 1956, US SIGNAL CORPS Q RE

[2]

JAMES HM, 1956, US SIGNAL CORPS Q RE

KOENIG, SH ;

GUNTHERMOHR, GR .

[4]

KOENIG SH, 1957, J PHYS CHEM SOLIDS, V2, P278

[5]

LONGO TA, 1957, B AMERICAN PHYSICA 2, V2, P157

[6] ON THE TRANSITION TO METALLIC CONDUCTION IN SEMICONDUCTORS [J].

MOTT, NF .

[7]

RAY RK, 1958, B AM PHYS SOC 2, V3, P101

[8]

SWARTZ GA, 1957, BULL AM PHYS SOC, V2, P134