A SIMPLE DAMAGE-FREE GROOVING METHOD FOR REVEALING THE QUALITY OF INP/INGAASP MULTILAYER STRUCTURE

被引：2

作者：

CHU, SNG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2124373

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2082 / 2085

页数：4

共 5 条

[1] ETCHING OF DISLOCATIONS ON LOW-INDEX FACES OF GAAS [J].

ABRAHAMS, MS ;

BUIOCCHI, CJ .

[2] NEW DISLOCATION ETCHANT FOR INP [J].

CHU, SNG ;

JODLAUK, CM ;

BALLMAN, AA .

[3]

HUBER A, 1975, J CRYST GROWTH, V29, P90

MCDONALD, B ;

GOETZBERGER, A .

[5]

STREGE KE, 1980, ELECTRONIC MATERIALS