STUDY OF PHASE DIAGRAM OF GAAS-GASB QUASI-BINARY SYSTEM

被引：6

作者：

INOUE, J

OSAMURA, K

MURAKAMI, Y

机构：

来源：

TRANSACTIONS OF THE JAPAN INSTITUTE OF METALS | 1971年 / 12卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.2320/matertrans1960.12.13

中图分类号：

TF [冶金工业];

学科分类号：

0806 ;

摘要：

引用

页码：13 / &

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共 5 条

[1]

CLOUGH RB, 1969, T METALL SOC AIME, V245, P583

[2] BINDING AND SEMICONDUCTOR PROPERTIES OF A-III B-V COMPOUNDS [J].

FOLBERTH, OG ;

WELKER, H .

[3]

INOUE J, 1970, SUIYOKWAI SHI, V17, P71

[4] MISCIBILITY OF 3-V SEMICONDUCTORS STUDIED BY FLASH EVAPORATION [J].

MULLER, EK ;

RICHARDS, JL .

[5]

OSMURA K, 1969, JAPAN J APPL PHYS, V8, P967