A MODEL FOR COMPARING PROCESS LATITUDE IN ULTRAVIOLET, DEEP-ULTRAVIOLET, AND X-RAY-LITHOGRAPHY

被引：19

作者：

SMITH, HI

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583994

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：346 / 349

页数：4

共 6 条

[1] FRANKEL RD, 1986, P KODAK MICROELECTRO, P82
[2] Goodman J. W, 2005, INTRO FOURIER OPTICS
[3] USE OF A PI-PHASE SHIFTING X-RAY MASK TO INCREASE THE INTENSITY SLOPE AT FEATURE EDGES
KU, YC
ANDERSON, EH
SCHATTENBURG, ML
SMITH, HI
[J]. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1988, 6 (01): : 150 - 153
[4] SCHOEFFEL JA, 1987, RES DEV JAN, P92
[5] A STATISTICAL-ANALYSIS OF ULTRAVIOLET, X-RAY, AND CHARGED-PARTICLE LITHOGRAPHIES
SMITH, HI
[J]. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1986, 4 (01): : 148 - 153
[6] SMITH HI, 1986, 18 1986 INT C SOL ST, P13