ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF GAINASP-INP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE-LASERS EMITTING AT 1.23-MU-M GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：17

作者：

RAZEGHI, M

HIRTZ, JP

HIRTZ, P

LARIVAIN, JP

BONDEAU, R

DECREMOUX, B

DUCHEMIN, JP

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 17期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810420

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：597 / 598

页数：2

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共 4 条

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