FIRST-ORDER STARK EFFECT IN PHOSPHORUS-DOPED SILICON FROM PHOTOCONDUCTIVITY ON IMPURITY LEVELS

被引：12

作者：

GUICHAR, GM

SEBENNE, C

BALKANSKI, M

PROIX, F

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B-SOLID STATE | 1972年 / 5卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.5.422

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：422 / +

页数：1

共 11 条

BARNES, JF ;

TREDGOLD, RH .

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON, 1961, 78 (503) :716-&

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