THE ROLE OF ALUMINUM IN SELECTIVE REACTIVE ION ETCHING OF GAAS ON ALGAAS

被引：24

作者：

SEAWARD, KL ^{[1
]}

MOLL, NJ ^{[1
]}

STICKLE, WF ^{[1
]}

机构：

[1] PERKIN ELMER PHYS ELECTR LABS,MT VIEW,CA 94043

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584423

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1645 / 1649

页数：5