P+-N HYPERABRUPT GAAS VARACTORS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：7

作者：

COVINGTON, DW

HICKLIN, WH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19780509

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：752 / 753

页数：2

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共 4 条

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