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FREQUENCY-EFFECTS AND PROPERTIES OF PLASMA DEPOSITED FLUORINATED SILICON-NITRIDE
被引:11
作者
:
CHANG, CP
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CHANG, CP
FLAMM, DL
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FLAMM, DL
IBBOTSON, DE
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IBBOTSON, DE
MUCHA, JA
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MUCHA, JA
机构
:
来源
:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
|
1988年
/ 6卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1116/1.584063
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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