REQUIREMENTS ON RESIST LAYERS IN DEEP-ETCH SYNCHROTRON RADIATION LITHOGRAPHY

被引：35

作者：

MOHR, J

EHRFELD, W

MUNCHMEYER, D

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584067

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2264 / 2267

页数：4

共 9 条

[1]

Becker E. W., 1986, Microelectronic Engineering, V4, P35, DOI 10.1016/0167-9317(86)90004-3

[2]

BECKER EW, 1984, KFK3732 KERN FORSCH

[3]

BOWDEN MJ, 1984, ACS SYM SER, V266, P39

[4] PROGRESS IN DEEP-ETCH SYNCHROTRON RADIATION LITHOGRAPHY [J].

EHRFELD, W ;

BLEY, P ;

GOTZ, F ;

MOHR, J ;

MUNCHMEYER, D ;

SCHELB, W ;

BAVING, HJ ;

BEETS, D .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1988, 6 (01) :178-182

[5]

EHRFELD W, 1987, P IEEE

[6]

MAHOON A, 1978, 10TH P NAT SAMPE TEC, P425

[7]

MOHR J, IN PRESS MACROMOLECU

[8]

MUNCHMEYER D, 1987, SPIE P, V803, P72

[9]

WATERS DN, 1976, 5TH P INT C RAM SPEC, P500