ANOMALOUS TEMPERATURE-DEPENDENCE OBSERVED ON PHOTO-VOLTAGE OF SE-BASED AMORPHOUS THIN FILM SNO2 HETEROSTRUCTURES

被引：1

作者：

NANG, TT

OKUDA, M

MATSUSHITA, T

SUZUKI, A

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1978年 / 32卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.90096

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：489 / 490

页数：2

相关论文

共 5 条

[1] ALFEROV ZI, 1970, SOV PHYS SEMICOND+, V3, P1103
[2] GE-EPITAXIAL-PBS HETEROJUNCTIONS
DAVIS, JL
NORR, MK
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1966, 37 (04) : 1670 - &
[3] PHOTOVOLTAIC EFFECT OBSERVED ON CONSTRUCTION OF METAL-AMORPHOUS INXSE1-X THIN FILM-SNO2 SYSTEM
NANG, TT
MATSUSHITA, T
OKUDA, M
SUZUKI, A
[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1977, 16 (02) : 253 - 257
[4] ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF GE-XSE-1-X AMORPHOUS THIN-FILMS
NANG, TT
OKUDA, M
MATSUSHITA, T
YOKOTA, S
SUZUKI, A
[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1976, 15 (05) : 849 - 853
[5] WEY HY, 1972, J NONCRYSTALL SOLIDS, V8, P336