ARSENIC ATOM LOCATION ON PASSIVATED SILICON (111) SURFACES

被引:95
作者
PATEL, JR
GOLOVCHENKO, JA
FREELAND, PE
GOSSMANN, HJ
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 36卷 / 14期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.36.7715
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:7715 / 7717
页数:3
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