ESR LINE-SHAPE STUDY OF AMORPHOUS CENTERS IN ION-IMPLANTED SILICON

被引：5

作者：

GOTZ, G

KARTHE, W

SCHNABEL, B

SOBOLEV, N

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1978年 / 50卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210500271

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K209 / K212

页数：4

共 11 条

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