TRANSIENT HIGH-DENSITY INJECTION IN A SEMICONDUCTOR WITH TRAPS

被引：5

作者：

ANCKERJOHNSON, B

ROBBINS, WP

CHANG, DB

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653032

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：377 / +

页数：1

共 6 条

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[6]

ROBBINS WP, UNPUBLISHED