RELAXATION PHENOMENA IN GAAS PLANAR STRUCTURES

被引：7

作者：

ROSSEL, P ^{[1
]}

TRANDUC, H ^{[1
]}

GRAFFEUIL, J ^{[1
]}

AZIZI, C ^{[1
]}

机构：

[1] CNRS,AUTOMAT & ANAL SYST LAB,F-31400 TOULOUSE,FRANCE

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1977年 / 12卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:0197700120100167900

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1679 / 1694

页数：16

共 12 条

[1] ELECTRICAL TRAPS IN GAAS MICROWAVE FETS [J].

ADLERSTEIN, MG .

[2]

ASAI S, 1973, J JAPAN SOC APPL P S, V42, P71

[3]

BARRERA J, 1975, 5TH BIENN CORN EL 2, V3, P135

[4]

GROVE AS, 1967, PHYS TECHNOL S, pCH6

[5]

LEHOVIC K, 1975, I PHYS C SER, P292

[6] MICROWAVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS 1976 [J].

LIECHTI, CA .

[7]

NOZAKI T, 1975, I PHYS C 24, P46

[8]

ROSSEL P, 1976, 6TH EUR SS DEV RES C, P82

[9]

TANIMOTO M, 1976, 6TH EUR SS DEV RES C, P80

[10]

TANIMOTO M, 1976, JUN DEV RES C