EXPERIMENTAL AND ANALYTICAL INVESTIGATION OF SINGLE EVENT, MULTIPLE BIT UPSETS IN POLYSILICON LOAD, 64KX1 NMOS SRAMS

被引：30

作者：

SONG, Y

VU, KN

CABLE, JS

WITTELES, AA

KOLASINSKI, WA

KOGA, R

ELDER, JH

OSBORN, JV

MARTIN, RC

GHONIEM, NM

机构：

[1] AEROSPACE CORP,LOS ANGELES,CA 90009

[2] UNIV CALIF LOS ANGELES,LOS ANGELES,CA 90024

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/23.25520

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1673 / 1677

页数：5