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USE OF NUCLEAR-REACTIONS AND SIMS FOR QUANTITATIVE DEPTH PROFILING OF HYDROGEN IN AMORPHOUS SILICON
被引:57
作者
:
CLARK, GJ
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机构:
OAK RIDGE NATL LAB,DIV SOLID STATE,OAK RIDGE,TN 37830
CLARK, GJ
WHITE, CW
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OAK RIDGE NATL LAB,DIV SOLID STATE,OAK RIDGE,TN 37830
WHITE, CW
ALLRED, DD
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ALLRED, DD
APPLETON, BR
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APPLETON, BR
MAGEE, CW
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MAGEE, CW
CARLSON, DE
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OAK RIDGE NATL LAB,DIV SOLID STATE,OAK RIDGE,TN 37830
CARLSON, DE
机构
:
[1]
OAK RIDGE NATL LAB,DIV SOLID STATE,OAK RIDGE,TN 37830
[2]
RCA,PRINCETON,NJ 08540
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1977年
/ 31卷
/ 09期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.89787
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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[11]
ELECTROLUMINESCENCE IN AMORPHOUS SILICON
PANKOVE, JI
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RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
PANKOVE, JI
CARLSON, DE
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RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
CARLSON, DE
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
29
(09)
: 620
-
622
[12]
VOOK FL, 1975, REV MOD PHYS, V47
[13]
WHITEHOUSE DJ, 1974, CHARACTERIZATION SOL, P53
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PANKOVE, JI
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RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
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PANKOVE, JI
CARLSON, DE
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机构:
RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
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CARLSON, DE
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
29
(09)
: 620
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