NPN AND PNP GALNP/GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS GROWN BY MOCVD

被引：20

作者：

KAWAI, H

KOBAYASHI, T

NAKAMURA, F

TAIRA, K

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1989年 / 25卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890414

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：609 / 610

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] DETERMINATION OF VALENCE AND CONDUCTION-BAND DISCONTINUITIES AT THE (GA,IN) P/GAAS HETEROJUNCTION BY C-V PROFILING [J].

RAO, MA ;

CAINE, EJ ;

KROEMER, H ;

LONG, SI ;

BABIC, DI .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1987, 61 (02) :643-649

[2]

TAIRA K, 1988, IEEE T ELECTRON DEV, V34, P2040

[3] INTERFACE PROPERTIES FOR GAAS/INGAALP HETEROJUNCTIONS BY THE CAPACITANCE-VOLTAGE PROFILING TECHNIQUE [J].

WATANABE, MO ;

OHBA, Y .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1987, 50 (14) :906-908