PREPARATION OF SI-C FILMS BY PLASMA DEPOSITION PROCESS WITH NEUTRALIZATION

被引：2

作者：

YOSHIHARA, H

MORI, H

KIUCHI, M

KADOTA, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1978年 / 17卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.17.1693

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1693 / 1694

页数：2

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