GAAS ALGAAS POWER HETEROBIPOLAR TRANSISTOR FABRICATED ON SILICON SUBSTRATE

被引：7

作者：

UEDA, D ^{[1
]}

LEE, WS ^{[1
]}

MA, T ^{[1
]}

COSTA, D ^{[1
]}

HARRIS, JS ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,SOLID STATE ELECTR RES LAB,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890849

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1268 / 1269

页数：2