TRAPPING CHARACTERISTICS AND A DONOR-COMPLEX (DX) MODEL FOR THE PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY TRAPPING CENTER IN TE-DOPED ALXGA1-XAS

被引：818

作者：

LANG, DV ^{[1
]}

LOGAN, RA ^{[1
]}

JAROS, M ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MASSACHUSETTS, DEPT PHYS & ASTRON, AMHERST, MA 01003 USA

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1979年 / 19卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.19.1015

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：1015 / 1030

页数：16

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共 45 条

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