THE APPLICATION OF RADIOANALYTICAL METHODS IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

被引：8

作者：

HAAS, EW

HOFMANN, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(87)90191-2

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：329 / 337

页数：9

共 9 条

[1]

DESOETE D, 1972, NEUTRON ACTIVATION A

[2]

GEBAUHR W, 1964, Z ANAL CHEM, V200, P266

[3]

GIRARDI F, 1976, ATOM ENERGY REV, V14, P521

[4] CARBON BEHAVIOR IN ZONE-REFINING OF SILICON [J].

HAAS, E ;

BRANDT, W ;

MARTIN, J .

[5]

KRIVAN V, 1979, ANGEW CHEM, V91, P132

[6]

LETTICOTE GW, 1953, AECD3489 REP

[7]

MARTIN I, 1968, SOLID ST ELECTRON, V11, P993

[8] ERROR SOURCES IN ACTIVATION-ANALYSES OF ULTRAPURE MATERIALS [J].

MARTIN, JA ;

HAAS, E ;

FISCHER, G .

FRESENIUS ZEITSCHRIFT FUR ANALYTISCHE CHEMIE, 1973, 265 (02) :122-128

[9]

Rogers A.W., 1967, TECHNIQUES AUTORADIO