THE ANALYSIS OF DISLOCATIONS IN STRAINED III-V SEMICONDUCTOR CRYSTALS USING ELASTOBIREFRINGENCE

被引：12

作者：

BOOYENS, H ^{[1
]}

BASSON, JH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.328300

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4375 / 4378

页数：4

共 7 条

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