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LPE GROWTH OF CD-DOPED INP
被引:16
作者
:
UMEBU, I
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV SHEFFIELD,DEPT RADIOCHEM,SHEFFIELD S1 3JD,S YORKSHIRE,ENGLAND
UNIV SHEFFIELD,DEPT RADIOCHEM,SHEFFIELD S1 3JD,S YORKSHIRE,ENGLAND
UMEBU, I
[
1
]
ROBSON, PN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV SHEFFIELD,DEPT RADIOCHEM,SHEFFIELD S1 3JD,S YORKSHIRE,ENGLAND
UNIV SHEFFIELD,DEPT RADIOCHEM,SHEFFIELD S1 3JD,S YORKSHIRE,ENGLAND
ROBSON, PN
[
1
]
机构
:
[1]
UNIV SHEFFIELD,DEPT RADIOCHEM,SHEFFIELD S1 3JD,S YORKSHIRE,ENGLAND
来源
:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
|
1981年
/ 53卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0022-0248(81)90077-4
中图分类号
:
O7 [晶体学];
学科分类号
:
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要
:
引用
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页码:292 / 296
页数:5
相关论文
共 13 条
[11]
TIEN PK, 1979, APPL PHYS LETT, V34, P701, DOI 10.1063/1.90611
[12]
van Der Pauw L. J., 1958, PHILIPS RES REP, V13, P1
[13]
WILLIAMS EW, 1973, J ELECTROCHEM SOC, V120, P1714
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共 13 条
[11]
TIEN PK, 1979, APPL PHYS LETT, V34, P701, DOI 10.1063/1.90611
[12]
van Der Pauw L. J., 1958, PHILIPS RES REP, V13, P1
[13]
WILLIAMS EW, 1973, J ELECTROCHEM SOC, V120, P1714
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