EVALUATION OF THE DENSITY OF STATES AT A-SI/SINX/CR CAPACITORS BY MEANS OF THE QUASI-STATIC SLOW RAMP CV-METHOD

被引：10

作者：

BOHM, M

SALAMON, S

KISS, Z

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(87)90173-6

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：735 / 738

页数：4

共 6 条

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