SCHOTTKY CONTACT CHARACTERIZATION OF SPUTTER-ETCHED SURFACE OF GAAS AND ITS RECOVERY BY ANNEALING

被引：5

作者：

SUZUKI, N

KATAOKA, H

HARIU, T

SHIBATA, Y

机构：

[1] Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tohoku University

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.18.1879

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1879 / 1880

页数：2

共 4 条

[1] RADIATION EFFECTS IN GAAS [J].

AUKERMAN, LW ;

GRAFT, RD ;

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[2]

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SUZUKI, N ;

HARIU, T ;

SHIBATA, Y .