学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
EFFECT OF NATIVE OXIDE ON INTERFACE PROPERTY OF GAAS MIS STRUCTURES
被引:22
作者
:
SUZUKI, N
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SUZUKI, N
HARIU, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HARIU, T
SHIBATA, Y
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SHIBATA, Y
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1978年
/ 33卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.90495
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:761 / 762
页数:2
相关论文
共 4 条
[1]
REACTIVE SPUTTERING OF GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS FOR GAAS MIS STRUCTURES
HARIU, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HARIU, T
USUBA, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
USUBA, T
ADACHI, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ADACHI, H
SHIBATA, Y
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SHIBATA, Y
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1978,
32
(04)
: 252
-
253
[2]
HARIU T, 1978, APPL PHYS LETT, V32, P4
[3]
SAWADA T, 1976, ELECTRON LETT, V12, P472
[4]
ANODIC-OXIDATION OF GAAS USING OXYGEN PLASMA
YAMASAKI, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
YAMASAKI, K
SUGANO, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SUGANO, T
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1978,
17
: 321
-
326
←
1
→
共 4 条
[1]
REACTIVE SPUTTERING OF GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS FOR GAAS MIS STRUCTURES
HARIU, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HARIU, T
USUBA, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
USUBA, T
ADACHI, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ADACHI, H
SHIBATA, Y
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SHIBATA, Y
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1978,
32
(04)
: 252
-
253
[2]
HARIU T, 1978, APPL PHYS LETT, V32, P4
[3]
SAWADA T, 1976, ELECTRON LETT, V12, P472
[4]
ANODIC-OXIDATION OF GAAS USING OXYGEN PLASMA
YAMASAKI, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
YAMASAKI, K
SUGANO, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SUGANO, T
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1978,
17
: 321
-
326
←
1
→