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REACTIVE SPUTTERING OF GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS FOR GAAS MIS STRUCTURES

被引：47
作者：
HARIU, T
USUBA, T
ADACHI, H
SHIBATA, Y
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1978年 / 32卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1063/1.90009
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：252 / 253
页数：2
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共 6 条
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