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MIS ELECTROLUMINESCENT DIODES IN ZNTE
被引:23
作者
:
DONNELLY, JP
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DONNELLY, JP
FOYT, AG
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FOYT, AG
LINDLEY, WT
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LINDLEY, WT
ISELER, GW
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ISELER, GW
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1970年
/ 13卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(70)90063-8
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:755 / &
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共 12 条
[11]
MOREHEAD FF, 1967, PHYSICS CHEMISTRY 2, P623
[12]
EVIDENCE FOR AVALANCHE INJECTION LASER IN P-TYPE GAAS (BREAKDOWN OF HIGH-RESISTIVITY REGION E)
[J].
WEISER, K
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WEISER, K
;
WOODS, JF
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WOODS, JF
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1965,
7
(08)
:225
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共 12 条
[11]
MOREHEAD FF, 1967, PHYSICS CHEMISTRY 2, P623
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EVIDENCE FOR AVALANCHE INJECTION LASER IN P-TYPE GAAS (BREAKDOWN OF HIGH-RESISTIVITY REGION E)
[J].
WEISER, K
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WEISER, K
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WOODS, JF
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1965,
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