QUANTITATIVE PROPERTIES OF SEM-EBIC IMAGES OF STACKING-FAULTS IN SILICON

被引：1

作者：

DONOLATO, C

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.19.L771

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L771 / L774

页数：4

共 8 条

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