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EFFECTS OF RF-POWER AND REACTANT GAS-PRESSURE ON PLASMA DEPOSITED AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
被引:27
作者
:
POTTS, JE
论文数:
0
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0
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0
机构:
ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
POTTS, JE
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1
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PETERSON, EM
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h-index:
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机构:
ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
PETERSON, EM
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MCMILLAN, JA
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机构:
ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
MCMILLAN, JA
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1
]
机构
:
[1]
ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1981年
/ 52卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.328616
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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