EFFECTS OF RF-POWER AND REACTANT GAS-PRESSURE ON PLASMA DEPOSITED AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON

被引:27
作者
POTTS, JE [1 ]
PETERSON, EM [1 ]
MCMILLAN, JA [1 ]
机构
[1] ARGONNE NATL LAB,DIV SOLID STATE SCI,ARGONNE,IL 60439
关键词
D O I
10.1063/1.328616
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:6665 / 6672
页数:8
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共 31 条
[31]  
ZELLAMA K, UNPUBLISHED