SELECTIVELY IMPLANTED BURIED OXIDE (SIBO) PROCESS FOR VLSI APPLICATIONS

被引：2

作者：

RATNAM, P

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870910

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1316 / 1317

页数：2

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共 3 条

JASTRZEBSKI, L ;

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