RECOVERABLE IONIC CONTAMINANT INDUCED FAILURES ON N-CHANNEL MEMORY PRODUCTS

被引：1

作者：

HEMMERT, RS

机构：

来源：

MICROELECTRONICS AND RELIABILITY | 1981年 / 21卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0026-2714(81)90546-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：63 / 77

页数：15

共 9 条

[1] ELDRIDGE JM, 1971, J ELECTROCHEMICA JUN, P968
[2] GREGORITSCH A, 13TH IEEE REL PHYS S, P121
[3] GREGORITSCH A, 14TH P IEEE REL PHYS, P228
[4] JOHNSON GM, 15TH P IEEE REL PHYS, P179
[5] POLARIZATION AND DEPOLARIZATION IN PSG FILMS
KASPRZAK, L
HORNUNG, A
[J]. IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1975, 19 (02) : 127 - 132
[6] KERR DR, 1973, NOV EC POL MONTR
[7] KERR DR, 8TH IEEE REL PHYS S, P1
[8] KREIGLER RJ, 12TH P IEEE REL PHYS, P250
[9] ANALYSIS OF THRESHOLD VOLTAGE FOR SHORT-CHANNEL IGFETS
LEE, HS
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1973, 16 (12) : 1407 - 1417