ANALYSIS TECHNIQUES OF CHARGING DAMAGE STUDIED ON 3 DIFFERENT HIGH-CURRENT ION IMPLANTERS

被引：11

作者：

FELCH, SB

LARSON, LA

CURRENT, MI

LINDSEY, DW

机构：

[1] NATL SEMICOND CORP,SANTA CLARA,CA 95052

[2] EATON NOVA,SUNNYVALE,CA 94086

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(89)90247-4

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：563 / 567

页数：5

共 5 条

BASRA, VK ;

MCKENNA, CM ;

FELCH, SB .

[2]

CHEN IC, 1985, IEEE T ELECTRON DEV, V32, P413, DOI 10.1109/T-ED.1985.21957

[3] CHARGE GENERATION IN THIN SIO2 POLYSILICON-GATE MOS CAPACITORS [J].

FAZAN, P ;

DUTOIT, M ;

MARTIN, C ;

ILEGEMS, M .

[4]

OSBURN CM, 1982, VLSI SCI TECHNOLOGY, P354

[5]

WOLTERS DR, 1985, PHILIPS J RES, V40, P115