INTERPRETATION OF HIGH-FIELD EFFECTS IN CHALCOGENIDE THIN-FILMS

被引：8

作者：

MARSHALL, JM ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV EDINBURGH,DEPT ELECT ENGN,EDINBURGH,SCOTLAND

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1973年 / 16卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90163-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：629 / 631

页数：3

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共 11 条

[11] TEMPERATURE DEPENDENCE OF HOLE TRANSPORT IN VITREOUS SELENIUM [J].

TABAK, MD .

PHYSICAL REVIEW B, 1970, 2 (06) :2104-&