CHARACTERISTICS OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING FLUORINATED AMORPHOUS-SILICON (A-SI-F)

被引：6

作者：

MATSUMURA, H

KANAMORI, M

FURUKAWA, S

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 13期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810320

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：457 / 458

页数：2

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共 5 条

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