IRON-DOPED LIQUID-PHASE-EPITAXIAL GAAS LAYERS WITH NEGATIVE-RESISTANCE PROPERTIES

被引：7

作者：

HASEGAWA, H ^{[1
]}

KOJIMA, K ^{[1
]}

SAKAI, T ^{[1
]}

机构：

[1] HOKKAIDO UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECT ENGN,SAPPORO,HOKKAIDO 060,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1977年 / 16卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.1251

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：1251 / 1253

页数：3

相关论文

共 5 条

[1] STUDY OF DEEP LEVELS IN GAAS BY CAPACITANCE SPECTROSCOPY [J].

LANG, DV ;

LOGAN, RA .

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1975, 4 (05) :1053-1066

[2]

MILNES AG, 1973, DEEP IMPURITY SEMICO

[3]

OHTUBO M, 1974, JAPAN J APPL PHYS, V13, P1655

[4]

SCHLACHETZKI A, 1975, APPL PHYS, V2, P195

[5]

YAMASHITA S, 1970, P IEEE, V58, P1280