SOFT ERROR IMPROVEMENT IN MOS RAMS BY THE USE OF EPITAXIAL SUBSTRATE

被引：7

作者：

SATOH, S

DENDA, M

TAKANO, S

FUKUMOTO, T

TSUBOUCHI, N

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.20S1.143

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：143 / 147

页数：5

共 6 条

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