ELECTRICALLY ERASABLE AND REPROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY USING N-CHANNEL SIMOS ONE-TRANSISTOR CELL

被引：11

作者：

ROSSLER, B ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,CENT TELECOMMUN LABS,D-8000 MUNICH 70,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1977.18788

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：606 / 610

页数：5

共 7 条

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