SEM OBSERVATION OF DISLOCATIONS IN BORON IMPLANTED SILICON USING SCHOTTKY-BARRIER EBIC TECHNIQUE

被引：16

作者：

IOANNOU, DE

DAVIDSON, SM

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1978年 / 48卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210480137

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K1 / &

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共 4 条

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