HOLE INJECTION INTO SILICON FROM IONS IN SOLUTION

被引：7

作者：

MORRISON, SR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.330535

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1233 / 1235

页数：3

共 7 条

[1]

GERISCHER H, 1959, Z ELEKTROCHEM, V63, P943

[2]

Gerischer H., 1961, Z PHYS CHEM, V27, P48

[3] BULK AND SURFACE CHARACTERIZATION OF THE SILICON ELECTRODE [J].

MADOU, MJ ;

LOO, BH ;

FRESE, KW ;

MORRISON, SR .

[4]

MORRISON SR, UNPUB SOLAR ENERGY

[5]

PETTINGER B, 1976, BER BUNSEN PHYS CHEM, V80, P1285

[6]

PLESKOV YV, 1960, DOKL AKAD NAUK SSSR, V132, P1360

[7] CURRENT TRANSPORT IN DOPED POLYCRYSTALLINE SILICON [J].

TANIGUCHI, M ;

HIROSE, M ;

OSAKA, Y ;

HASEGAWA, S ;

SHIMIZU, T .