INTERPRETATION OF CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS ON SILICON-ON-INSULATOR (SOI) CAPACITORS

被引：13

作者：

MCDAID, LJ ^{[1
]}

HALL, S ^{[1
]}

ECCLESTON, W ^{[1
]}

ALDERMAN, JC ^{[1
]}

机构：

[1] PLESSEY CO LTD,ALLEN CLARK RES CTR,TOWCHESTER NN12 8EQ,NORTHANTS,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(89)90049-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：65 / 68

页数：4

共 10 条

[1]

BRADY FT, 1988, APPL PHYS LETT, V52

[2]

COLINGE JP, 1986, IEEE ELECTRON DEV LE, V7

[3]

HALL MG, IN PRESS

[4]

LIM HK, 1983, IEEE T ELECTRON DEV, V30

NAGAI, K ;

SEKIGAWA, T ;

HAYASHI, Y .

[6]

Nicollian E. H., 1982, METAL OXIDE SEMICOND

[7]

SASAKI N, 1978, SOLID ST ELECTRON, V22, P417

[8]

WHITFIELD J, 1986, IEEE ELECTRON DEV LE, V7

[9]

WILEY JD, 1975, IEEE T ELECTRON DEV, V22

[10] THEORY OF THE FULLY DEPLETED SOS-MOS TRANSISTOR [J].

WORLEY, ER .