DEGRADATION MECHANISM OF MOS STRUCTURES AND TRANSISTORS UNDER IONISING RADIATION

被引：6

作者：

ESTEVE, D

BUXO, J

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1970年 / 6卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19700142

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：198 / &

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