共 1 条
- [1] CMOS DEVICES FABRICATED ON BURIED SIO2 LAYERS FORMED BY OXYGEN IMPLANTATION INTO SILICON[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1978, 14 (18) : 593 - 594IZUMI, KDOKEN, MARIYOSHI, H
FORMATION OF ABRUPT INTERFACES BETWEEN SURFACE SILICON AND BURIED SIO2 LAYERS BY VERY HIGH-DOSE OXYGEN-ION IMPLANTATION
被引：35
作者：
HAYASHI, T
OKAMOTO, H
HOMMA, Y
机构：
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.19.1005
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：1005 / 1006
页数：2
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