THERMAL-STABILITY AND SECONDARY BREAKDOWN IN PLANAR POWER MOSFETS

被引：31

作者：

YOSHIDA, I

OKABE, T

KATSUEDA, M

OCHI, S

NAGATA, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.19873

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：395 / 398

页数：4

共 7 条

[1] AVALANCHE BREAKDOWN IN HIGH-VOLTAGE D-MOS DEVICES [J].

DECLERCQ, MJ ;

PLUMMER, JD .

[2]

JOSEPHY RD, 1970, PHILIPS TECH REV, V31, P251

[3]

KENNEDY DP, 1973, P INT ELECTRON DEV S, P160

[4] POWER HANDLING CAPABILITY OF MOSFET [J].

NAGATA, M .

[5]

OKABE T, 1977, P INT ELECTRON DEV S, P416

[6] NUMERICAL-MODEL OF AVALANCHE BREAKDOWN IN MOSFETS [J].

TOYABE, T ;

YAMAGUCHI, K ;

ASAI, S ;

MOCK, MS .

[7]

YOSHIDA I, 1976, IEEE J SOLID-ST CIRC, V11, P472, DOI 10.1109/JSSC.1976.1050761